http://www.chip-news.ru/archive/chipnews/200307/8.html

С. Волков, А. Ефишин, С. Морозов, С. Соколов

Электростатический разряд (ElectroStatic Discharge, ESD) представляет собой существенную опасность для ИС, и разработка защитных элементов от него - важная ступень проектирования устройства. Тенденции развития полупроводниковой промышленности непосредственно связаны с уменьшением минимальных топологических размеров проектирования ИС, что приводит к большей чувствительности устройств по отношению к внешним факторам и, в частности, к ESD. Природа ESD может быть различной, поэтому невозможно обеспечить защиту компонентов во всех возможных ситуациях. Для стандартных сценариев были разработаны следующие тестовые схемы для определения чувствительности ИС к ESD [1,2].